深受资本青睐：技术创新与产能扩张，英诺赛科积累盈利潜力

　　随着全球对高效能、低能耗半导体技术需求的不断增长，英诺赛科凭借其在氮化镓功率半导体领域的领先地位，正迎来前所未有的发展机遇。

　　在新能源汽车、可再生能源等高速增长的市场需求推动下，英诺赛科不仅实现了产能的大幅提升，更在技术创新和产品应用上不断突破。随着英诺赛科日前正式向港股IPO发起冲刺，资本市场助推下，英诺赛科在可预见的未来将实现业务的持续增长和盈利能力的显著提升。

　　营收持续增长，亏损逐年改善

　　自成立以来，英诺赛科始终走在全球功率半导体革命的前沿，致力于推动氮化镓技术的创新与应用。作为行业先锋，英诺赛科近年业绩持续伴随行业快速发展。

　　招股书显示，英诺赛科氮化镓产品在各应用领域获得客户的认可，营业收入实现强劲增长。具体来看，英诺赛科营收由2021年的6800万元(人民币，下同)增加99.7%至2022年的1.36亿元，并进一步增加335.2%至2023年的5.92亿元。

　　利润方面，英诺赛科2023年经调整净亏损约为10.16亿元，相比2021年亏损程度大大减低。值得注意的是，最近三年(2021年至2023年)英诺赛科经调整净亏损合计约33亿元，这主要是由于英诺赛科上市前多轮股权融资导致的股权公允价值变动，以及给予员工的股权激励支付所致。

　　成立至今，英诺赛科已获得招银国际、吴江产投、SK中国、华业天成、钛信资本、武汉高科、珠海高新投、中天汇富、中国平安、国民创投、毅达资本等机构的多轮融资。由此2021年至2023年，英诺赛科向投资者发行的金融工具公允价值变动导致有关财务成本合计达32亿元。另外，英诺赛科接受员工提供服务作为权益工具代价的安排，这通常可以被视为股权激励的一种形式，该部分开支最近三年(2021年至2023年)合计也达1.37亿元。

　　综合来看，英诺赛科的业务增长势头强劲，业务亏损范围逐渐收窄。在市场人士看来，这既反映英诺赛科前期大量制造和研发转向大规模生产，资本性支出带来的亏损减轻;也显示英诺赛科转向大规模制造，这意味着公司进入市场正向回报阶段，盈利能力提升。此外，在营收规模大幅增长的情况下亏损减少，这也反映出英诺赛科强有力的成本控制能力。

　　争夺技术高地，市占率稳居龙头

　　分析招股书可知，英诺赛科近年亏损主要由于研发投入、市场扩张和生产规模扩大导致的初期成本，而技术创新正是英诺赛科的核心竞争力。

　　英诺赛科为氮化镓产品及技术研发投入了大量资源。2021年至2023年，英诺赛科研发投入分别达6.62亿元、5.81亿元和3.49亿元。同时，英诺赛科在中国苏州建立全球研发中心，将其定位为第三代半导体材料及芯片的领先研发中心。目前，英诺赛科在全球范围内已拥有约700项专利及专利申请，涵盖芯片设计、器件架构、晶圆制造、封装及可靠性测试等多个关键领域。

　　人才储备上，英诺赛科拥有一支由397名专业人才组成的强大研发团队，其中多数成员均为半导体行业资深人士。同时，英诺赛科布局国际研发资源，在欧洲、北美及亚洲建立研发团队，专注于产品设计、研发及可靠性评估。

　　凭借强大的技术创新实力及领先的量产能力，英诺赛科已成为氮化镓功率半导体产品的全球领导者。按氮化镓分立器件出货量统计，英诺赛科2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市占率达42.4%。

　　产能释放叠加市场增长，盈利在望

　　随着国内新能源汽车、风电、光伏等优势产业的兴起，氮化镓功率半导体迎来巨大的市场机遇。据权威机构预测，氮化镓功率半导体行业规模预期将进一步按98.5%复合年增长率加速增长，由2024年的32.28亿元增长至2028年的501.42亿元。其中，消费电子、可再生能源、新能源汽车和数据中心等细分市场均展现出良好的增长潜力。

　　配合强劲的市场需求，英诺赛科早已启动产能布局。招股书显示，目前英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产能为每月1万片，同时，晶圆良率超过95%。此外，英诺赛科是全球首家率先实现8英寸硅基氮化镓晶圆的批量生产商，并于2023年拥有全球最大的氮化镓功率半导体产能、出货量及收入。

　　本次IPO，英诺赛科的募资计划也聚焦产能扩充。一方面，英诺赛科拟将50%的募资资金用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能，计划从截至2023年12月31日的每月1万片晶圆扩大至未来5年每月7万片晶圆。另一方面，英诺赛科拟将15%的募资资金用于研发和扩大氮化镓产品组合，进一步提高终端市场中氮化镓产品的渗透率。

　　通过与消费电子、汽车、可再生能源等行业知名企业的深度合作，英诺赛科正在不断拓展氮化镓产品的应用边界。英诺赛科的8英寸硅基氮化镓晶圆，相比传统6英寸晶圆，晶粒产出提升80%，成本降低30%，体现了其在成本控制与生产效率上的绝对优势。随着产能释放和市场需求增长，在可预见的未来，英诺赛科将逐步达成实现盈利的目标。

责任编辑：李静